CP電位僅在很窄的電位帶上起保護(hù)作用，超出這個(gè)電位帶不是產(chǎn)生陽(yáng)極溶解就是發(fā)生金屬應(yīng)力侵蝕損傷(氫鼓泡)。海內(nèi)外的CP專家通過(guò)實(shí)驗(yàn)和現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)提出極化電位的安全帶為：-850至-1150mv /CSE，其中-755至-788mv/CSE是應(yīng)力侵蝕敏感段，海內(nèi)最新試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：-630mv至-730mv;-680mv至-730mv也屬金屬應(yīng)力侵蝕敏感段。負(fù)偏移電位大于1170mv/CSE時(shí)會(huì)給管面添堿，在有水介入的前提下，水被電解天生氫離子。因?yàn)楣苊婵陀^存在大量的微裂紋以及材料缺陷，氫離子首先浸入，分子化過(guò)程的應(yīng)力結(jié)果，會(huì)使裂紋不斷增加深度和寬度，管道上泛起的應(yīng)力侵蝕開裂通常是氫應(yīng)力和管道載荷的拉應(yīng)力共同作用的結(jié)果。因此管道上的電位應(yīng)控制在極化電位的安全帶上，國(guó)標(biāo)上提出的-1200mV，顯然是錯(cuò)誤的，照抄國(guó)外東西，依據(jù)何在?因此最佳保護(hù)電位選應(yīng)為：-850--1100mv/CSE.